QUI SOMMES-NOUS ?

Construisons ensemble un avenir de confiance

Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cybersécurité & Identité numérique. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 81 000 collaborateurs dans 68 pays.

Nos engagements, vos avantages

Une réussite commune portée par notre culture et excellence technologique, votre expérience et notre ambition partagéeUn package de rémunération attractif (épargne salariale, variable ou 13ième mois selon les postes, restaurant d’entreprise,…)La possibilité de développer vos compétences en continu grâce à nos parcours de formation et nos académies internes #ENTREPRISEAPPRENANTENotre attention portée à votre équilibre personnel et professionnel (Accord télétravail, RTT, congés d’ancienneté, jours enfants malades, guide parentalité, crèches, CSE / ASC,… )Des communautés internes permettant de vous engager sur les sujets qui vous tiennent à cœur : innovation, diversité, environnementUn environnement inclusif et bienveillant où vous êtes accueilli et valorisé avec notre politique handi-accueillante, notre charte LGBT+, notre initiative #StOpe pour lutter contre le sexisme.

Situé sur le campus de l’École polytechnique, au cœur du pôle scientifique et technologique d’envergure mondiale de Paris-Saclay, à Palaiseau, Thales Research & Technology (TRT) France constitue le centre de recherche et technologies français du Groupe Thales, au service des activités mondiales de Thales. Grâce à une politique de partenariat proactive avec le monde académique et un réseau international d’entreprises innovantes, le rôle des équipes de Thales Research & Technology est de proposer aux différentes entités opérationnelles du groupe Thales des innovations de rupture qui seront aussi des différenciateurs techniques ; de maintenir et d’accroître l’avance technologique de ces solutions mais aussi d’en assurer la compétitivité. Les activités de TRT France se situent aussi bien dans le domaine Hardware (Electronique, Optronique, Radiofréquences, semi-conducteurs, science des matériaux etc.), qu’en Algorithmie et Software (Intelligence Artificielle, Big Data, Cybersécurité, Aide à la décision, Optimisation etc.) et en Systèmes (conception architecturale, processus et outils). Thales Research & Technology rassemble plus de 250 ingénieurs de recherche, une 30aine de doctorants ainsi que chaque année, plus d’une soixantaine de stagiaires et de nombreux coopérants. Rejoignez l’aventure !

Dans ce cadre nous recherchons un :

Stage - Ingénieur en étude du circuit équivalent du transistor HEMT GaN en utilisant des mesures RF (H/F)
Basé à Palaiseau (91) – 6 mois

QUI ETES-VOUS ?

Etudiant en Ecole d’Ingénieur ou formation équivalente, vous préparez un master 2  en électronique, RF et/ou physique des matériaux ?Vous possédez des compétences en : Circuits électroniques et RFUtilisation d'instruments de mesure (sources de courant/tension, analyseur de réseaux vectoriels)PythonTraitement et présentation de donnéesVous bénéficiez idéalement de connaissances des transistors RF (FET, HEMT, HBT…) ?Vous êtes reconnu pour votre curiosité scientifique, votre capacité d’autonomie et d’organisation ?Enfin vous êtes à l’aise en français et en anglais ?

Une connaissance de la fabrication en salle blanche et de la physique infrarouge serait un plus.

Vous vous reconnaissez ? Alors découvrez vos futures missions !

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :

Ce stage s’inscrit au sein du III-V Lab, un laboratoire de recherche industriel constitué en Groupement d’Intérêt Economique par ses 3 Membres de tutelle : Thales, Nokia et le CEA. Le III-V Lab conduit des activités de recherche et développement sur les composants microélectronique et optoélectronique à base de semi-conducteurs III-V pour différents domaines d'application (télécommunications, défense, sécurité, spatial etc.).

Le programme GaN (pour nitrure de gallium) est en charge des thématiques liées à l’utilisation des transistors à base de GaN pour les applications radiofréquences de puissance. Ces transistors sont dits « HEMT » pour High Electronic Mobility Transistor.  Afin de comprendre le comportement de ces composants, d'évaluer la qualité de leur fabrication et de prédire leur performance, des caractérisations électriques DC et RF sont systématiquement employées.

Un circuit équivalent du transistor est très utile pour maîtriser les différents paramètres interdépendants et connaitre ses caractéristiques essentielles pour le design de fonctions RF telles que les amplificateurs. Cependant, les circuits équivalents actuels sont limités puisqu’ils ne prennent pas en compte l’interdépendance entre les paramètres physiques intrinsèques résultant de l’empilement des couches de matériaux, de leurs propriétés physiques et du procédé de fabrication.

Dans ce contexte, vos missions seront les suivantes :

Mesures de caractéristiques DCMesures paramètres [S]Mesures au capacimètreCalcul physique et exploitation des mesures sous PythonBibliographie et validation de la solution proposée

Thales s’engage pour l’emploi et l’insertion des personnes en situation de handicap. A ce titre, notre établissement Thales Research & Technology France est reconnu Organisme Handi-Accueillant

Tous nos stages sont conventionnés et soumis à une gratification dont le montant est déterminé selon votre niveau d’études.

Thales reconnait tous les talents, la diversité est notre meilleur atout. Postulez et rejoignez nous !